2025年高职单招《电子技术基础》每日一练试题01月12日

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判断题

1、负反馈只能改善环路内放大电路的性能，对反馈环外的电路无效。（）

答 案：对

解 析：负反馈对放大电路的影响仅限于环内，环外的噪声和失真无法通过负反馈抑制。故正确。 

2、电容滤波电路适用于小电流负载，而电感滤波电路适用于大电流负载。（）

答 案：对

解 析：电容滤波电路适用于小电流负载，但是电容有“阻直通交”的作用，当电流变化很小或缓慢时可能被阻止；电感滤波电路适用于大电流负载。故正确。

3、正弦波振荡器必须输入正弦信号。()

答 案：错

解 析：正弦波振荡器是输入端不接外加信号，而有正弦波信号输出的放大器。故错误。

单选题

1、硅二极管正向电压从0.65V增加10%,则其正向电流的增加将()  

• A：等于10%
• B：大于10%
• C：小于10%
• D：基本不变

答 案：B

解 析：二极管正向电压从0.65V增加10%后变为0.715V,则二极管导通，二极管在导通后电压与电流的关系近似为非线性指数关系，电流变化更快，因此其正向电流的增加将大于10%。故B正确。

2、测得某硅晶体三极管的三个电极的电位如图所示，则该管子的工作状态是()  

• A：放大状态
• B：饱和状态
• C：截止状态
• D：击穿状态

答 案：B

解 析：由题图可得，该三极管发射结正偏，集电结正偏，因此处于饱和状态。故B正确。

3、如图所示的曲线是()  

• A：P沟道增强型场效晶体管的转移特性曲线
• B：P沟道耗尽型场效晶体管的转移特性曲线
• C：N沟道增强型场效晶体管的转移特性曲线
• D：N沟道耗尽型场效晶体管的转移特性曲线

答 案：A

解 析：题图所示为P沟道增强型场效晶体管的转移特性曲线。故A正确。

主观题

1、在如图所示电路中，已知R_L=80Ω,直流电压表V的读数为110V,已知二极管的正向压降可忽略不计，试求： (1)直流电流表A的读数； (2)整流电流的最大值； (3)交流电压表V₁的读数； (4)变压器二次电流的有效值。  

答 案：(1)题图所示电路为单相半波整流电路，则 直流电流表A的读数I_A=I_O=1.375A≈1.38A。 (2)整流电流的最大值 (3)交流电压表V₁的读数 (4)变压器二次电流的有效值I₂=1.57I_O=1.57×1.375A=2.16A。  

2、如图所示硅二极管电路，试分别用二极管理想模型和恒压降模型分析图中的二极管是导通还是截止，并求出Uo。

答 案：由题图甲可得V₊=2V,V_-=0V,二极管导通，理想模型Uo=2V,恒压降模型Uo=(2-0.7)V=1.3V; 由题图乙可得V_-=2V,V₊=0V,二极管截止，Uo=0V; 由题图丙可得V₊=2V,V_-=-2V,二极管导通，理想模型Uo=2V,恒压降模型Uo=(2-0.7)V=1.3V; 由题图丁可得V₊=-2V,V_-=2V,二极管截止，Uo=-2V。  

3、将逻辑表达式按要求进行变换： (1)变成与非-与非式； (2)变成或非-或非式。  

答 案：  

填空题

1、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论，即虚短和（）。  

答 案：虚断

解 析：工作在线性放大状态的理想集成运放有两个重要特点，即虚短和虚断。